联动科技：2022年年度报告

佛山市联动科技股份有限公司 2022年年度报告 2023-003 2023年3月 2022年年度报告 第一节重要提示、目录和释义 公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证年度报告内容的真实、准确、完整，不存在虚假记载、误导性陈述或者重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。 公司负责人张赤梅、主管会计工作负责人李映辉及会计机构负责人(会计主管人员)李映辉声明：保证本年度报告中财务报告的真实、准确、完整。所有董事均已出席了审议本报告的董事会会议。 公司在本年度报告中详细阐述了未来可能发生的主要风险因素，详见“第三节管理层讨论与分析”之“十一、公司未来发展的展望”中“（三）未来发展面临的主要风险”，描述了公司未来经营可能面临的主要风险，敬请投资者予以关注。 公司经本次董事会审议通过的利润分配预案为：以46,400,179股为基数， 向全体股东每10股派发现金红利32.5元（含税），送红股0股（含税），以 资本公积金向全体股东每10股转增5股。 目录 第一节重要提示、目录和释义2 第二节公司简介和主要财务指标8 第三节管理层讨论与分析12 第四节公司治理35 第五节环境和社会责任49 第六节重要事项51 第七节股份变动及股东情况71 第八节优先股相关情况78 第九节债券相关情况79 第十节财务报告80 备查文件目录 一、载有公司法定代表人、主管会计工作负责人、会计机构负责人签名并盖章的财务报表； 二、载有会计师事务所盖章，注册会计师签名并盖章的审计报告原件； 三、报告期内在中国证监会指定网站上公开披露过的所有公司文件的正本及公告的原稿； 四、经公司法定代表人签署的2022年年度报告原件； 五、其他相关文件。 以上文件的备置地点：公司董事会办公室。 释义 释义项 指 释义内容 公司、本公司、联动科技 指 佛山市联动科技股份有限公司 联动实业 指 PowertechSemiCompanyLimited、联动科技实业有限公司 香港联动 指 PowertechSemiHongkongCompanyLimited、香港联动科技实业有限公司 马来西亚联动 指 POWERTECHSEMISDN.BHD. 安森美集团 指 ONSemiconductor 长电科技 指 江苏长电科技股份有限公司 通富微电 指 通富微电子股份有限公司 华天科技 指 天水华天科技股份有限公司 安世半导体 指 安世半导体（中国）有限公司 扬杰科技 指 扬州扬杰电子科技股份有限公司 爱德万、Advantest 指 AdvantestCorporation 泰瑞达、Teradyne 指 Teradyne,Inc. 科休、COHU 指 Cohu,Inc. SEMI 指 国际半导体设备与材料产业协会 长川科技 指 杭州长川科技股份有限公司 华峰测控 指 北京华峰测控技术股份有限公司 莱普科技 指 成都莱普科技股份有限公司 TESEC 指 TESECCorporation 宏邦电子 指 绍兴宏邦电子科技有限公司 科技部 指 中华人民共和国科学技术部 财政部 指 中华人民共和国财政部 报告期 指 2022年 中国证监会 指 中国证券监督管理委员会 深交所 指 深圳证券交易所 创业板 指 深圳证券交易所创业板 保荐机构、主承销商、海通证券 指 海通证券股份有限公司 立信会计师 指 立信会计师事务所（特殊普通合伙） 《公司法》 指 《中华人民共和国公司法》 《证券法》 指 《中华人民共和国证券法》 《劳动法》 指 《中华人民共和国劳动法》 《劳动合同法》 指 《中华人民共和国劳动合同法》 《公司章程》 指 现行的佛山市联动科技股份有限公司章程 集成电路、芯片、IC 指 按照特定电路设计，通过特定的集成电路技术，将电路中所需的晶体管、电感、电阻和电容等元件集成于一小块半导体（如硅、锗等）晶片或介质基片上的具有所需电路功能的微型结构 晶圆 指 硅半导体集成电路制作所用的硅晶片，在硅晶片上可加工制作成各种电路元件结构，成为有特定电性功能的集成电路产品 二极管 指 一种具有两个电极的装置，只允许电流由单一方向流过，其主要发挥整流的作用 MOS或MOSFET 指 Metal-Oxide-SemiconductorFieldEffectTransistor的缩写，利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件 IGBT 指 InsulatedGateBipolarTransistor，绝缘栅双极型晶体管 Wire-Bond 指 Wire-Bond，指压焊环节，实现芯片电极与框架的连接的过程 可控硅 指 一种具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件，多用来作可控整流、逆变、变频、调压、无触点开关等，也称晶闸管 氮化镓 指 GaN，Galliumnitride，氮和镓的化合物，属于第三代半导体材料，常被用于制作新一代高温度频大功率器件 碳化硅材料 指 SiC，硅和碳的组成的化合物半导体材料，属于第三代半导体材料，能够适应高温、高频、抗辐射、大功率的应用场合，多用于半导体照明领域、各类电机系统、新能源汽车和不间断电源等领域 PCB 指 PrintedCircuitBoard的缩写，印制电路板 分立器件 指 以半导体材料为基础的，具有固定单一特性和功能的电子器件，如：二极管、三极管、晶闸管、MOSFET、IGBT等 功率器件 指 输出功率比较大的电子元器件 BOM表 指 BillofMaterial，物料清单 ERP 指 EnterpriseResourcePlanning，集成化管理信息系统 DC 指 DirectCurrent的缩写，直流电 AC 指 AlternatingCurrent，交流电流 UPH 指 UnitPerHours的缩写，表示每小时的产量 MCU 指 MicrocontrollerUnit，微控制单元 Pattern 指 被测芯片的时序特征。在测试芯片的过程中，测试设备会向被测试芯片的输入管脚发送一系列的时序，而在芯片的输出管脚比较输出时序，由此判定被测芯片是否满足其功能。狭义意义上的测试Pattern就是芯片的真值表 FPGA 指 Field－ProgrammableGateArray，现场可编程门阵列。它是作为专用集成电路（ASIC）领域中的一种半定制电路而出现的，既解决了定制电路的不足，又克服了原有可编程器件门电路数有限的缺点 矢量 指 Vector，数字向量或数字矢量，是一种既有大小又有方向的量，每个驱动/比较周期称作一个数字向量（Digitalvector） MHz 指 MegaHertz或millionofcyclespersecond，兆赫，是波动频率单位之一 TRR 指 ReverseRecoveryTime，反向恢复时间，这实际上是由电荷存储效应引起的，反向恢复时间就是存储电荷耗尽所需要的时间 LCR 指 L是电感（Inductance），R是电阻（Resistance），C是电容（Capacitance） RG 指 栅极等效电阻（外电路参数） CG 指 MOSFET栅极等效电容 DIP 指 inline-pinpackage，双列直插式封装技术，采用双列直插形式封装的集成电路芯片，绝大多数中小规模集成电路均采用这种封装形式，其引脚数一般不超过100 ATE 指 AutomaticTestEquipment，自动化测试设备，也叫自动化测试系统 制程 指 指在生产芯片过程中，集成电路的精细度，亦指IC内电路与电路之间的距离 数字集成电路 指 只具有数字输入输出逻辑功能的集成电路 数模混合集成电路 指 同时具备数字逻辑功能及模拟功能的集成电路 浮动V/I源 指 没有固定接地端的浮动电压/电流源表 RF射频器件 指 一种可发生高频交电磁波的器件，常用于智能手机、GPS、手持无线设备等领域 封装测试 指 对经过划片的晶圆进行封装，完成后进行成品测试 SoC 指 System-on-Chip的缩写，即系统级芯片，是在单个芯片上集成多个具有特定功能的集成电路所形成的电子系统 引脚、管脚 指 从芯片内部电路引出与外围电路的接线，所有的引脚构成该块芯片的接口 分选机 指 英文名“HANDLER”,根据电子器件不同的性质，对其进行分级筛选的设备 探针台 指 英文名“PROBER”，一种半导体检测装备，用于晶圆加工之后、封装工艺之前的晶圆测试环节 雪崩 指 雪崩测试UIS（或称UIL,EAS）是一种利用电感效应的能量释放过程来考验器件在 系统应用中遭遇极端电热应力的耐受能量能力的一种测试 CSP 指 ChipScalePackage的缩写，即芯片级封装 WaferlevelCSP 指 晶圆级的封装技术 Site 指 工位，一颗芯片（成品测试）或管芯（圆片测试） TR 指 ThermalResistance的缩写，即热阻，当有热量在物体上传输时，在物体两端温度差与热源的功率之间的比值 SW 指 SwitchTime，即开关时间 浪涌 指 瞬间出现超出稳定值的峰值，包括浪涌电压和浪涌电流 Qg 指 栅极电荷测试 继电器 指 当输入量（激励量）的变化达到规定要求时，在电气输出电路中使被控量发生预定的阶跃变化的一种电控制器件 IDM 指 指IntegratedDeviceManufacturing，整合设备生产模式，是芯片领域的一种设计生产模式，集芯片设计、制造、封装测试于一体，覆盖整个产业链的模式。 第二节公司简介和主要财务指标 一、公司信息 股票简称 联动科技 股票代码 301369 公司的中文名称 佛山市联动科技股份有限公司 公司的中文简称 联动科技 公司的外文名称（如有） PowerTECHCo.,Ltd. 公司的外文名称缩写（如有） PowerTECHCo.,Ltd. 公司的法定代表人 张赤梅 注册地址 1、1998年12月，公司成立注册地址为佛山市发展大厦21楼I室；2、1999年8月，公司注册地址变更为佛山市季华路华远东路发展大厦21楼H室；3、2000年11月，公司注册地址变更为佛山市澜石深村工业区4号；4、2005年2月，公司注册地址变更为佛山市季华四路33号工业园第5号楼2楼；5、2007年9月，公司注册地址变更为佛山市禅城区汾江北路24号第11号楼首层、二层；6、2011年1月，公司注册地址变更为佛山市禅城区张槎海口村古新路以东、季华二路以北1号厂房；7、2012年11月，公司注册地址变更为佛山市南海区罗村街道朗沙村委会朗沙大道以北的外朗地段广东新光源产业基地核心区内D区3座三层（1-4轴）；8、2013年8月，公司注册地址变更为佛山市南海区狮山镇罗村朗沙村委会朗沙大道以北的外朗地段广东新光源产业基地核心区内D区3座三层（1-4轴）；9、2014年3月，公司注册地址变更为佛山市南海区罗村光明大道16号佛山市联动科技实业有限公司厂房；10、2020年6月，公司注册地址变更为佛山市南海国家高新区新光源产业基地光明大道16号（住所申报）。 注册地址的邮政编码 528226 公司注册地址历史变更情况 不适用 办公地址 佛山市南海国家高新区新光源产业基地光明大道16号 办公地址的邮政编码 528226 公司国际互联网网址 http://cn.powertechsemi.com/ 电子信箱 ir@powertechsemi.com 二、联系人和联系方式 董事会秘书 证券事务代表 姓名 邱少媚 梁韶娟 联系地址 佛山市南海国家高新区新光源产业基地光明大道16号 佛山市南海国家高新区新光源产业基地光明大道16号 电话 0757-83281982 0757-83281982 传真 0757-81802530 0757-81802530 电子信箱 ir@powertechsemi.com ir@powertechsemi.com 三、信息披露及备置地点 公司披露年度报告的证券交易所网站 深圳证券交易所（www.szse.cn） 公司披露年度报告的媒体名称及网址 《证券时报》《中国证券报》《上海证