不同n型电池片技术分析及未来趋势

不同n型电池片技术分析及未来趋势 贾锐 西安交通大学 中国科学院微电子研究所 N型高效晶体硅电池技术一当下及未来的产业主流 SolarCellEfficiencyTables(Version66) Martin A.Green'Ewan D.Dunlop |Masahiro Yoshita |Nikos Kopidakis|Karsten Bothes|Gerald SieferXiaojingHaolIJessicaYajieJiang ITRPV预测各种n型电池未来市场变化 >2025年，p型PERC的市场最多占18%，PRRC正加速退出市场；2025年，n型TOPCon占到整个市场的68%，未来还将是市场主流：>异质结电池，2024年市场占比约8%，2035年预计达到12%；》背接触BC电池（HBC、TBC，统称为XBC），2025年市场占比预计达到6%；但到2035年预计达到33%；Si基叠层电池（如果实现突破），产能预计在2029年达到3%：2035年预计达到12% TOPCon电池：LECO+均匀发射极占市场主导地位 LECO是n型TOPCon的标配采用LECO+均匀发射极占市场主导地位TOPConSE(无LECO)的很快退出市场 单晶硅衬底的复合电流：p型大于n型晶体硅3-4倍 n型晶体硅的复合电流一不同的电池类型复合电流区别较大 前表面Poly-fingerTOPCon：降低发射极复合电流的有效方式 Poly-fingerTOPCon：降低发射极复合电流的有效方式 Poly-fingerTOPCon：串联电阻Rs影响到填充因子 通过pFF测试，pFF值可达到86%以上；FF过低（81-82%），主要是由于Rs过大导致；是导致效率降低的主要因素； Poly-fingerTOPCon：PolyFinger+LECO，可有效提升FF PolyFinger通过LECO，可以提升FF 背面Poly-fingerTOPCon：保持钝化同时可提升短路电流 背面不同厚度的n+-Poly组合，形成背面n+-polyFinger >基准线的TOPCon电池Jsc平均值41.45mA/cm?;>多晶硅指状结构的Jso平均值为41.97mA/cm?;>比基准结构高0.52mA/cm?。 HJT：CO2等离子体处理，易于形成p型微晶硅 HJT：CO2等离子体处理,易于形成p型微晶硅 CO,等离子体进行界面处理，实现p+aSi微晶化 a-Siuc-Si:快速成核并结晶 >CO，PT时间，Voc从748mV上升到749mV，FF从80%增加到84%，Rs降低了三分之一，效率绝对值提升了1.4%μc-Si:H(p)层成膜晶化率提高至60%，使异质结电池成功实现了双面微晶化Source:文丽兰等，AcSAppl.Mater.Interfaces2025, XBC电池：效率超过27%--隆基创造多个冠军效率 TBC电池：激光图形化+湿法处理+金字塔表面纳米化 27.81%!LONGiRefreshestheWorldRecordfortheEfficiencyofMonocrystallineSiliconCellsAgain 全球单结晶体硅最高效率！ HBC电池制程：采用激光进行图形化 隧穿层和光管理，对叠层电池起到很重要的作用！ 钙钛矿/晶硅电池创造了新的效率最高记录 SolarCellEfficiencyTables(Version66) Martin A.Green IEwan D.Dunlop?IMasahiroYoshita3 INikos Kopidakis4|Karsten Bothes IGerald SieferXiaojingHao|JessicaYajieJiang