全球存储科技：美光业绩对亚洲存储芯片厂商的五大影响

每周主题：美光结果对亚洲内存芯片制造商的影响 行业概览 2026年6月26日 美光公司结果/指引带来的五个启示 权益全球科技 我们针对美光公司 upbeat 的业绩/指引，为亚洲存储芯片制造商提出了五点启示：(1) 超周期或芯片短缺可能持续至2027年甚至2030年；(2) 与大型科技公司及OEM厂商签订更多LTA（长期协议），这可能使行业周期性减弱并实现高盈利（例如台湾已证明的晶圆代工厂模式）；(3) 新建晶圆厂（壳厂）不易（建设成本高、地方政府监管、水电供应问题等）；(4) 即使在2028年晶圆产能扩张也有限（老旧晶圆厂升级需要大量洁净室、制造周期更长、前端及后端设备尺寸更大、更先进芯片良率低、HBM与传统DRAM的贸易比率高）；(5) 尽管资本支出（capex）较正常周期翻倍，自由现金流（FCF）显著增加。美光还指出，HBM4销售额可观（迄今达10亿美元）；全球范围内的新晶圆厂建设/运营——美国（博伊西；纽约；弗吉尼亚）、台湾（通洛）、新加坡和日本；以及大额EUV订单。我们的调研也显示，所有主要亚洲存储芯片制造商均认同美光对存储行业的乐观看法。 西蒙·吴，CFA持证人美林证券（首尔）研究分析师 +82 2 37070554simon.woo@bofa.com 戴神美林证券（香港）研究分析师dai.shen@bofa.com 阿亚尔·维韦克分析师BofASvivek.arya@bofa.com 平川幹雄波音日本研究分析师mikio.hirakawa@bofa.com 微调全球记忆预测 我们也将美光的结果（2026年5月至第三季度ASP表现强劲）和指引（2026年8月末季度环比收入增长约20%，而2月/5月末季度分别为+75%和+74%）纳入了我们的行业模型。我们认为，如果长期合同（LTA）销售额增加，ASP将不再强劲增长。我们还了解到HBM4、HBM4e、SOCAMM、LPDDR5、GDDR7、eSSD等产品的需求/产量增强。这可能推动2026年下半年和2027年的比特增长加速（但据我们判断，仍低于20%的年同比增长）。总体而言，我们将2026-2028年全球DRAM/NAND销售预测上调了2-4%，但修订主要基于强劲的2026年第二季度ASP（抵消了由于长期合同导致的三季度或下半年ASP疲软）以及2026年下半年和2027-2028年略高的销量增长。我们还注意到美光的收入指引（2026年8月末季度为500亿美元；年化营收为2000亿美元；隐含内存行业市场规模为1万亿美元，美光市场份额为20%±）与我们的行业观点一致（2026年第三季度全球DRAM/NAND总销售额为2570亿美元；年化营收也为1万亿美元）。韩国半导体出口（主要为内存）在6月份保持强劲（前20天同比增长188%）。DRAM现货价格已连续五周上涨（上涨20%），而NAND价格则有所回落（下跌5%）。 马特· Shin美林证券（首尔）研究分析师matt.shin2@bofa.com 附件1：全球存储器预测——超级周期预计将在2026年增长四倍后继续至2027年，高盛全球存储器预测 内存芯片制造商不太可能面临激烈的价格竞争 美光以及其他大型存储芯片制造商正越来越多地使用长期协议（LTAs）来固定平均售价（ASP）；他们的芯片生产也将更加聚焦高端产品（如HBM、SOCAMM、LPDDR5）。这或许能为存储芯片制造商开辟新的增长机遇，同时避免激烈的价格竞争。例如，我们注意到南亚科技（NanyaTech）的DRAM销售（主要是旧款/传统DRAM）目前仍主要基于月度/季度协商的ASP（长期协议的敞口非常小）。 受雇于BofAS的非美国附属机构，且根据FINRA规则未注册/未获得资格成为研究分析师。有关在特定司法管辖区中，具体哪些BofA证券实体对 herein 所述信息承担责任，请参阅“其他重要披露”。美国银行证券部门与其研究报告中涉及发行人进行及寻求进行业务往来。因此，投资者应注意该机构可能存在利益冲突，从而影响本报告的客观性。投资者应将本报告视为其投资决策的单一因素。请参阅第28至29页的重要披露信息。12987003 对于缩写，请参阅文末的词汇表。这份报告。 韩国出口与美光业绩 图3：6月强劲的月环比增长（255亿美元；环比+16%）；较2025年全年平均水平高3倍以上 图4：6月同比上升188%；已连续五个月实现三位数增长 附件5：5月至7月销售额创纪录（410亿美元；同比增长346%）；管理层还对8月至10月期间提供了稳健的指引（500亿美元），这意味着环比增长21% 美光 – 销售额及同比增长趋势 图7：5月至7月期间观察到显著价格上涨（DRAM环比上涨低60%，NAND环比上涨中80%） 来源：公司，美国银行全球研究部估计 全球记忆预测 图9：我们预计，到2026年，全球DRAM收入将接近翻四番（同比增长316%），这将在2024年和2025年分别实现86%和52%的强劲增长基础上实现。主要受 ASPs 猛增 ~3 倍 (+242% 同比) 的驱动。预计到 2026 年，NAND 收入也将同比大幅增长近四倍 (+295% YoY)。2025年实现了温和的低个位数增长，得益于平均售价（ASP）的强劲约2.3倍扩张（同比增长234%）。全球记忆预测摘要——自上而下方法 图10：我们将2026-28年DRAM收入预测上调2-4%，主要反映平均售价（ASP）假设的提高（预计2026/27/28年每8GB等价单位为约13/16/14美元）。受近期价格周期上行影响，NAND收入预估也上调4%（预计2027-28年每256GB等价单位为8-9美元）。 第14号展品：特定公司NAND销售量/ASP/出货量/利润率对比——得益于eSSD和3D NAND，利润率高；基于前四大NAND公司季度财报结果的自下而上分析 图15：由于内存芯片短缺和物料清单（BOM）成本极高，预计2026年智能手机和PC产量将削减——一旦内存供应短缺有所缓解，预计2027-28年将出现温和复苏；另外，服务器出货量可能因AI热潮而增长；产品单位假设——我们关于科技产品出货量的基本假设 展览16截至2026年4月，DRAM和NAND的交付周期仅剩几周，远低于正常水平（1-2个月）；2026年下半年库存可能随晶圆厂产能利用率提升而增加，但仍将保持紧张状态（预计3-4周）。 展览17截至2026年4月，DRAM和NAND晶圆厂已全面利用了原有的闲置产能。 存储芯片制造商的晶圆厂利用率 基于应用，按比特出货量推算的隐含DRAM销售组合及单位售价 记录的高资本支出包括大量基础设施支出 展品20：三大DRAM制造商的资本支出将在2026年增长，但其中包含大量非晶圆厂设备支出（空壳工厂、公用事业、TCB/HB）；预计2027-28年的整体资本支出增长率将放缓，与2023-25年DRAM资本支出趋势中40%以上的复合年均增长率相比。 2026/27E HBM TAM擴張至770億美元/1350億美元 第24项展品：我们维持对HBM的看涨观点。我们预计2026年销售额将强劲增长（77亿美元；同比增长122%），这得益于稳健的平均售价增长（同比增长27%）和强劲的比特量增长（增长76%）。行业平均营业利润率接近50%；鉴于销量增长和成本削减完全抵消了降价，预计2027年不会出现下滑。全球HBM市场——创纪录的收入预计将持续至2027年（135亿美元） 第26项证据：三星的增长潜力可能来自于2026-28年HBM价格趋于正常（相比于2025年的低点），重点关注英伟达的二级客户（例如美国数据中心）和大型科技公司（亚马逊、谷歌、博通、AMD等）的HBM盈利预期。美国证券交易委员会 GPU规格表 附件27：H200/B200/B300将推动2025年HBM需求增长，随后在2026/27年，采用HBM内存的NVIDIA GPU将迎来Rubin/Rubin Ultra的推出。 第28项展品：大量用于AI训练/推理的GPU产品线；LPDDR5和GDDR6也用于AI推理，但我们新看到新ASIC（例如，谷歌的TPU v7/TPU 8i/8t）对12层HBM3e的需求前景看好；AMD MI400系列；亚马逊Trainium芯片预计将使用采用HBM内存的HBM4 AI加速器 附件29：预计2025/2026-2027年HBM内容将大幅增长，主要受B300、Rubin和Rubin Ultra的推动 英伟达GPU HBM规格演进；Rubin Ultra HBM内容相比2026年增长3倍st鲁宾 Rubin Ultra和费曼可能拥有超过1TB的HBM容量；轴扩展源：英伟达，美银全球研究 图31：HBM容量将在2027年通过Rubin Ultra达到1TB，然后在2030年通过Feynman Ultra超过1.5TB；带宽也计划从2025年的1.2 TB/s每年增加40-50%，到2030年超过8 TB/s 英伟达GPU HBM容量与带宽发展 图32：GPU/ASIC/TPU使用6-8块HBM芯片；即将推出的Rubin Ultra GPU预计将使用16个HBM单元；每个HBM包含8-12个DRAM芯片（HBM4e和HBM5可能为16-20个） HBM供应GPU或ASIC（TPU）与CPU配合使用，对比传统DRAM（如LPDDR5） 花旗记忆指标 第33号证据：我们的内存指标在2026年3月至4月期间达到历史最高点189，这得益于DRAM/NAND现货价格异常强劲、平均售价（ASP）和账单额上升，以及韩国150%以上的出口增长。 花旗集团记忆指标——自2025年10月以来回升至上升水平，并在2026年3月至4月（回测）达到最高峰值 请注意：我们之前的指标上限为约140，但近期由内存现货价格、ASP（平均售价）和账单驱动的史无前例的飙升，促使我们将上限上调至240水平，以反映更准确的相对比较。内存芯片制造商强劲的盈利表现进一步证实了这一强劲势头。 来源：DRAMeXchange、WSTS、MoTIRKorea、美国银行全球研究 阴影区域表示1991年1月至2021年3月的回测结果。未阴影区域表示2021年4月以来的实际表现。此表现已回测至2021年3月，并不代表任何账户或基金的实际表现。回测表现描绘了特定策略在所示时间段内的理论（非实际）表现。并未表示任何实际投资组合可能已实现此处所示相似的回报。免责声明：美银梅里迪亚指标旨在仅作为指示性指标，不得用作任何金融工具或合约的参考目的或表现衡量标准，或未经美银全球研究事先书面同意，不得由第三方用于任何其他目的。该指标并非为作为基准而创建。关于方法，请参阅2024年8月5日的全球记忆技术报告。 第34项证据：摩根大通股价飙升至历史新高，受三星（强劲的一季度业绩、对HBM4上涨的乐观预期以及更高的传统DRAM敞口）和南亚科技（1月至5月月度销售额创新高，同比增长约500%至700%）的支撑。 花旗集团记忆指标与股票表现（回测）高度相关 浅绿色阴影区域表示1991年1月至2021年3月的回测结果。蓝色阴影区域表示2021年4月以来的实际数据。此表现已进行回测，并不代表任何账户或基金的实际表现。回测表现描绘了特定策略在所示时间段内的理论（非实际）表现。并未表示任何实际投资组合可能已实现此处所示相似的回报。关于方法，请参阅2024年8月5日的全球记忆技术报告。 超大规模资本支出和云服务收入利润率 共同增长，预计到2026年即使表现强劲，也将实现约80%的年增长率，达到6500亿美元。第 36 项证据四大超大规模计算厂商的资本支出（CAPEX）创纪录支出预计将在2026财年（2026E）继续；自2024年以来超大规模计算厂商的资本支出增长——同比变化 第 35 号证据亚马逊、微软、Alphabet、Meta 和甲骨文资本支出2025年同比增长65%；2027/28年资本支出上限将达到80